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Samsung Electronics ahora planea alcanzar el objetivo de almacenamiento de “petabytes” que alguna vez pareció difícil de alcanzar. La empresa está considerando utilizar tecnología NAND de 1000 capas y nuevos materiales ferroeléctricos para lograr este gran objetivo.
Samsung puede alcanzar el objetivo de SSD de Petabyte gracias a la tecnología NAND de 1000 capas
Samsung está entrando en una nueva era en la tecnología de almacenamiento NAND. Los chips flash V-NAND de novena generación de la compañía tienen una estructura de 290 capas y establecerán un nuevo estándar en el mercado. Yendo más allá, Samsung planea lanzar el próximo año V-NAND de décima generación con una estructura de 430 capas. Con estos productos innovadores, la empresa pretende alcanzar los 1.000 TB de capacidad de almacenamiento y superar un hito importante en este campo.
En el Simposio de Tecnología VLSI que se celebrará en Honolulu; Investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST) compartirán los resultados de su investigación sobre una clase de materiales llamados «Hafnia Ferroelectrics» que exhiben propiedades ferroeléctricas bajo ciertas condiciones. Los materiales ferroeléctricos permiten el desarrollo de memoria con condensadores de menor tamaño y mayor eficiencia.
Los primeros detalles sobre la conferencia se resumen a continuación:
Análisis en profundidad de los ferroeléctricos de Hafnia: demostración y modelado experimental de QLC 3D VNAND más allá de 1000 capas
En este estudio; En un tipo de transistor de efecto de campo ferroeléctrico llamado «FeFET», se ha demostrado que se logra un aumento significativo del rendimiento mediante la interacción de la captura de carga y los efectos de conmutación ferroeléctrica, gracias a la combinación de la capa intermedia de puerta diseñada con banda metálica y la capa intermedia de canal ferroeléctrico. . Esta estructura permite que FeFET proporcione la máxima retroalimentación positiva, funcione a un voltaje de funcionamiento bajo (+17/-15 V), tenga una ventana de memoria grande (10,5 V) y tenga una distorsión insignificante incluso bajo un voltaje de polarización de 9 V. para sobrevivir.
Además, el material de Hafnia Ferroelectrics muestra que podría desempeñar un papel importante a la hora de acelerar el desarrollo de memorias 3D VNAND. Estos hallazgos; Revela que el material ferroeléctrico podría ser un factor clave para superar el estancamiento de la industria al respaldar innovaciones en tecnologías de memoria.
– Simposio de Tecnología VLSI
Aunque Samsung no participa directamente en el proceso de I+D, se cree que algunas personalidades están relacionadas con la empresa. Aún no está claro qué tan efectiva será Hafnia Ferroelectrics en el desarrollo de dispositivos de almacenamiento a nivel de petabytes. Sin embargo, se prevé que este material puede ser un factor clave que nos permita alcanzar un hito importante en las tecnologías de almacenamiento.
